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场效应管5n60c技术参数

更新时间:2020-09-19 00:00:00

5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流为4、5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V。功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率,Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管。

关键词: 效应 5n60c 技术 参数